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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料													厂商																																操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	颜色	附加功能	子类别	最大功率耗散	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	样式	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	功率 - 最大	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
DMTH10H032LPDW-13	Diodes	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-PowerTDFN	PowerDI5060-8 (Type UXD)	Diodes Incorporated			Bulk	DMTH10	24A (Tc)	活跃	2	PowerDI5060-8	2500	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated					-55°C ~ 175°C (TJ)	Reel	-										MOSFETs		MOSFET (Metal Oxide)						8			2 N-Channel					3W (Ta), 37W (Tc)			32mOhm @ 5A, 10V	2.5V @ 250µA	683pF @ 50V	11.9nC @ 10V		100V		MOSFET								N				Standard				MOSFET
DMC4050SSDQ-13-52	Diodes	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SO	Diodes Incorporated	活跃							Bulk	DMC4050	4.2A (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)		Automotive, AEC-Q101												MOSFET (Metal Oxide)									N and P-Channel Complementary					1.8W			45mOhm @ 3A, 10V	1.8V @ 250µA	1790.8pF @ 20V, 1643.17pF @ 20V	37.56nC @ 10V, 33.66nC @ 10V		40V														Standard
DMN3061SVTQ-7	Diodes	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	TSOT-26	Diodes Incorporated	DMN3061	3.4A (Ta)	活跃	TSOT26	3000	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated							Bulk	-55°C ~ 150°C (TJ)	切割胶带	Automotive, AEC-Q101										MOSFETs		MOSFET (Metal Oxide)									2 N-Channel (Dual)					880mW (Ta)			60mOhm @ 3.1A, 10V	1.8V @ 250µA	278pF @ 15V	6.6nC @ 10V		30V		MOSFET								N				Standard				MOSFET
DMHC4035LSDQ-13-52	Diodes	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SO	Diodes Incorporated	活跃							Bulk	DMHC4035	4.5A (Ta), 3.7A (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)		Automotive, AEC-Q101												MOSFET (Metal Oxide)									2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)					1.5W (Ta)			45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V	3V @ 250µA	574pF @ 20V, 587pF @ 20V	12.5nC @ 10V, 11.1nC @ 10V		40V														Standard
BSS138DW-7-F-52	Diodes	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363	Diodes Incorporated	活跃							Bulk	BSS138	200mA (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)		-												MOSFET (Metal Oxide)									2 N-Channel					200mW (Ta)			3.5Ohm @ 220mA, 10V	1.5V @ 250µA	50pF @ 10V	-		50V														Standard
G4616	GOFORD	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOP	Goford Semiconductor			Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;	8A (Tc), 7A (Tc)	活跃					-55°C ~ 150°C (TJ)		-																										2W (Tc), 2.8W (Tc)	N and P-Channel Complementary		20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V	2.5V @ 250µA	415pF @ 20V, 520pF @ 20V	12nC @ 10V, 13nC @ 10V		40V														Standard
FDS4935A.	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC	Fairchild Semiconductor			Bulk	7A	活跃					-55°C ~ 175°C (TJ)		PowerTrench®																										900mW	2 P-Channel (Dual)		23mOhm @ 7A, 10V	3V @ 250µA	1233pF @ 15V	21nC @ 5V		30V														逻辑电平门
HUF76131SK8T_NB82084	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Fairchild Semiconductor										ACH580-BDR-096A-4+B058+K465+L512	ABB	Bulk	活跃			*
APTC60AM45T1G	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP1	SP1	微芯片技术						55762	Murrelektronik	49	Bulk	APTC60	49A	活跃	1	微芯片技术	Details		-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-										Discrete Semiconductor Modules		MOSFET (Metal Oxide)									2 N-Channel (Half Bridge)					250W			45mOhm @ 24.5A, 10V	3.9V @ 3mA	7200pF @ 25V	150nC @ 10V		600V		Discrete Semiconductor Modules								Dual N				-				Discrete Semiconductor Modules
APTMC120HRM40CT3AG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 years ago)	底座安装	Module	SP3	微芯片技术		WTSS310SS	Hubbell	Bulk	APTMC120	73A (Tc)	活跃					-40°C ~ 150°C (TJ)		-												Silicon Carbide (SiC)									2 N-Channel (Dual)					375W			34mOhm @ 50A, 20V	3V @ 12.5mA	2788pF @ 1000V	161nC @ 5V		1200V (1.2kV)														-
APTM20HM16FTG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP4	SP4	微芯片技术	微芯片技术	Details							None	P-R1-A2	Grace Technologies	104	Bulk	APTM20	104A	活跃	1	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-										Discrete Semiconductor Modules		MOSFET (Metal Oxide)									4 N-Channel (Half Bridge)					390W			19mOhm @ 52A, 10V	5V @ 2.5mA	7220pF @ 25V	140nC @ 10V		200V		Discrete Semiconductor Modules								Dual N				-				Discrete Semiconductor Modules	IP65
PHC21025，118	NXP	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NXP USA Inc.						Bulk	PHC21	活跃							*
FDC6302P	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SuperSOT™-6	Fairchild Semiconductor			Bulk	120mA	活跃					-55°C ~ 150°C (TJ)		-																										700mW	2 P-Channel (Dual)		10Ohm @ 200mA, 4.5V	1.5V @ 250µA	11pF @ 10V	0.31nC @ 4.5V		25V														逻辑电平门
APTM10DHM05G	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP6	SP6	微芯片技术			278	Bulk	APTM10	278A	活跃	1	Microchip	微芯片技术	Details					-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-										Discrete Semiconductor Modules		MOSFET (Metal Oxide)									2 N-Channel (Dual) Asymmetrical					780W			5mOhm @ 125A, 10V	4V @ 5mA	20000pF @ 25V	700nC @ 10V		100V		Discrete Semiconductor Modules								Dual N				-				Discrete Semiconductor Modules
APTM120A29FTG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP4	NO	SP4	12	SILICON	微芯片技术	RECTANGULAR	2	活跃	MICROSEMI CORP	5.25	34 A				34	Bulk	APTM120	34A	活跃	1	Microchip	微芯片技术	Details	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12	FLANGE MOUNT	1	UNSPECIFIED	未说明	150 °C	有	APTM120A29FTG	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-	e1	有	EAR99		锡银铜				雪崩额定	Discrete Semiconductor Modules		MOSFET (Metal Oxide)	UPPER	UNSPECIFIED	未说明		compliant	12	R-XUFM-X12	不合格	2 N-Channel (Half Bridge)	增强型MOSFET		ISOLATED		780W		SWITCHING	348mOhm @ 17A, 10V	5V @ 5mA	10300pF @ 25V	374nC @ 10V		1200V (1.2kV)	N-CHANNEL	Discrete Semiconductor Modules				0.348 Ω	136 A		1200 V	Dual N	3000 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		-				Discrete Semiconductor Modules
APTM120DU15G	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP6	SP6	微芯片技术			60	Bulk	APTM120	60A	活跃	1	Microchip	微芯片技术	Details					-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-										Discrete Semiconductor Modules		MOSFET (Metal Oxide)									2 N-Channel (Dual)					1250W			175mOhm @ 30A, 10V	5V @ 10mA	20600pF @ 25V	748nC @ 10V		1200V (1.2kV)		Discrete Semiconductor Modules								Dual N				-				Discrete Semiconductor Modules
APTC60VDAM45T1G	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP1	1	SP1	微芯片技术	Tray	APTC60	49A	活跃	Details	微芯片技术	Microchip	1	2	100 ns				49	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	CoolMOS™						150 °C	-40 °C			Discrete Semiconductor Modules	250 W	MOSFET (Metal Oxide)									2 N-Channel (Dual)		250		21 ns	250W			45mOhm @ 24.5A, 10V	3.9V @ 3mA	7200pF @ 25V	150nC @ 10V	30 ns	600V		Discrete Semiconductor Modules	49 A	20 V				7.2 nF		Dual N				超级交界处	45 mΩ			Discrete Semiconductor Modules				无
APTM50H15FT1G	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP1	SP1	微芯片技术	Microchip Technology / Atmel	130 mOhms	Details	80 ns	25 A							25	Bulk	APTM50	25A	活跃	29 ns	3 V	208 W	N-Channel	+ 100 C	- 30 V, + 30 V	2.821917 oz	- 40 C	1	螺钉安装	Microchip	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-				全桥						Discrete Semiconductor Modules		MOSFET (Metal Oxide)									4 N-Channel (Half Bridge)					208W			180mOhm @ 21A, 10V	5V @ 1mA	5448pF @ 25V	170nC @ 10V	35 ns	500V		Discrete Semiconductor Modules								Dual N				-		功率MOSFET模块		Discrete Semiconductor Modules
AP20N03D	C&K	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
AP6985GN2	Schneider	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
ATM2301PSA	Eaton	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
APTM100TA35SCTPG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module	SP6-P	微芯片技术			22	Bulk	APTM100	22A	活跃	1	Microchip	微芯片技术	Details					-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	POWER MOS 7®										Discrete Semiconductor Modules		MOSFET (Metal Oxide)									6 N-Channel (3-Phase Bridge)					390W			420mOhm @ 11A, 10V	5V @ 2.5mA	5200pF @ 25V	186nC @ 10V		1000V (1kV)		Discrete Semiconductor Modules								Dual N				-				Discrete Semiconductor Modules
APTMC60TLM14CAG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP6	SP6	微芯片技术	有	125 °C	,							05019	0.31	UL	ABB	有	Standard Mounting Holes, Snap-On Installation	219	Bulk	APTMC60	219A (Tc)	活跃	1	微芯片技术	5.67	MICROSEMI CORP	不推荐	1	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-			EAR99					Gray		Discrete Semiconductor Modules		Silicon Carbide (SiC)				Slotted, Standard	compliant				4 N-Channel (Three Level Inverter)		925			925W			12mOhm @ 150A, 20V	2.4V @ 30mA (Typ)	8400pF @ 1000V	483nC @ 20V		1200V (1.2kV)		Discrete Semiconductor Modules			215 A					Dual N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	1000 W	-				Discrete Semiconductor Modules		39.37	1,000 mm
APTM20HM20STG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP4	SP4	微芯片技术			Honeywell-Microswitch	89	Bulk	活跃	89A	APTM20	1	微芯片技术	Details					-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube	-										Discrete Semiconductor Modules		MOSFET (Metal Oxide)									4 N-Channel (Half Bridge)					357W			24mOhm @ 44.5A, 10V	5V @ 2.5mA	6850pF @ 25V	112nC @ 10V		200V		Discrete Semiconductor Modules								Dual N				-				Discrete Semiconductor Modules
APTMC120TAM34CT3AG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module	SP3	微芯片技术	74 A							Bulk	APTMC120	74A (Tc)	活跃	1200 V	21 ns	2 V	375 W	+ 125 C	- 10 V, 25 V	3.880136 oz	- 40 C	1	螺钉安装	Microchip	微芯片技术	25 mOhms	50 ns	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube	-				3 Phase Bridge						Discrete Semiconductor Modules		Silicon Carbide (SiC)									6 N-Channel (3-Phase Bridge)					375W			34mOhm @ 50A, 20V	4V @ 15mA	2788pF @ 1000V	161nC @ 5V	19 ns	1200V (1.2kV)		Discrete Semiconductor Modules												-		功率MOSFET模块	1.5 V	Discrete Semiconductor Modules